一种三维集成片上超长波导环结构及制备工艺

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一种三维集成片上超长波导环结构及制备工艺
申请号:CN202411950101
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119471908A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明属于集成光学、光学传感技术领域,具体涉及一种三维集成片上超长波导环结构及制备工艺。所述超长波导环结构集成在单片硅基芯片上,所述结构包括:顶部波导层1、多个中间波导层2、底部波导层3、衬底层4;顶部波导层1、多个中间波导层2、底部波导层3、衬底层4相互平行,且顶部波导层1、多个中间波导层2、底部波导层3、衬底层4在垂直方向上依次堆砌,且关于超长波导环结构的中垂面对称;光在相邻波导层之间通过垂直耦合的方式互连形成光回路。
技术关键词
耦合结构 环圈 LPCVD工艺 化学抛光工艺 等离子增强型 二氧化硅 衬底层 波导结构 光学传感技术 弯曲 CMP工艺 芯层结构 气相 集成光学 氮化硅 芯片 刻蚀工艺 扁平型
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