一种提高晶圆堆叠良率的原位修复封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种提高晶圆堆叠良率的原位修复封装方法。包括如下步骤：S1，对晶圆上Fail Die进行剥离，形成空槽；S2，在空槽内进行点胶；S3，提供Good Die，通过Die to Wafer与空槽进行对位填充，使填充的Good Die的平面略高于晶圆平面；S4，通过整平载片对Good Die进行垂直加压，放入烤箱固化；S5，固化后，移除整平载片，对晶圆进行清洁；S6，对空槽内进行PECVD填充；S7，对晶圆表面进行CMP抛光清洁，并露出焊盘。同现有技术相比，直接对晶圆进行修复，去除Fail Die，使其变成KGW（Known Good Wafer），最终实现晶圆键合良率提升。