边发射激光器结构及其制备方法

本发明涉及激光器技术领域，公开了边发射激光器结构及其制备方法。制备方法包括：在衬底层的一侧表面上形成包括第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层的外延结构，外延结构的表面包括第一区域和包围第一区域的第二区域；在外延结构一侧进行离子注入，在第二区域的外延结构中沿第一方向的两侧边缘形成贯穿第二限制层、第二波导层及有源层的离子注入区，第一区域的外延结构形成与离子注入区在第一方向具有间隔距离的电流注入区。离子注入区能够提高电流注入效率，在外侧壁面上形成有效的电隔离，避免封装时焊料爬升而引发短路失效；外延结构的表面仍然为平坦表面，避免出现焊接空洞，保证边发射激光器结构的封装稳定性和性能。