高功率低噪声半导体激光器

AITNT
正文
推荐专利
高功率低噪声半导体激光器
申请号:CN202410901678
申请日期:2024-07-05
公开号:CN118610887A
公开日期:2024-09-06
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域,尤其涉及一种高功率低噪声半导体激光器,包括依次设置的半导体激光芯片、光学透镜组和光学反馈器件,半导体激光芯片包括外延结构,在外延结构上形成有增益波导和损耗波导阵列,在增益波导上形成有分布反馈布拉格光栅,分布反馈布拉格光栅用于减小纵模竞争引入的相对强度噪声,损耗波导阵列具有与增益波导相匹配的模式相位,损耗波导阵列基于倏逝波横向耦合,湮灭增益波导的高阶横模;光学透镜组用于对半导体激光芯片输出的激光进行整形;光学反馈器件用于基于频率选择特性对入射的激光进行反馈。本发明能够在不引入额外损耗降低输出功率的情况下实现更低的相对强度噪声。
技术关键词
半导体激光芯片 高功率低噪声 波导阵列 布拉格光栅 外延结构 强度噪声 光学透镜组 高阶横模 半导体激光器技术 损耗 法布里珀罗腔 倏逝波 频率 模式
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种高功率SOA外延结构、芯片及芯片的制备方法
外延结构 高功率 异质结结构 缓冲层 欧姆接触层
2
一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片和发光装置
LED外延结构 波导 叠层 LED芯片 发光装置
3
一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法
发光LED芯片 银纳米线 接触电极 掩膜图形 电流扩展层
4
一种LED芯片及其制备方法
周期结构 电流扩展层 LED芯片 层叠 芯片外延结构
5
半导体激光芯片及其制作方法和激光设备
半导体激光芯片 量子阱层 外延片 激光设备 光束
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号