一种LED芯片及其制备方法

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该LED芯片在AlmIn(1‑m)P限制层和GaP电流扩展层之间增加过渡层，过渡层包括层叠的第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层为GayIn(1‑y)P/ GaAsnP(1‑n)超晶格结构，第二过渡层为GaAszP(1‑z)/ GaP超晶格结构，沿AlmIn(1‑m)P限制层指向GaP电流扩展层的方向，第一过渡层中各GayIn(1‑y)P层的Ga组分逐渐增大，In组分逐渐减小，第二过渡层中各GaAszP(1‑z)层的As组分逐渐减小至0，P组分逐渐增大至1，实现材料和晶格过渡，提高GaP电流扩展层及LED芯片外延结构的晶体质量。