一种边发射半导体激光器及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种边发射半导体激光器及其制备方法，制备方法包括：在激光器晶圆的P面接触层背向上限制层的一侧表面形成电流注入区和电流注入区侧部的钝化层；激光器晶圆在竖直方向上通过多个第一解理道和多个第二解理道划分为多个激光器芯片；在激光器芯片表面、第一解理道表面、第二解理道的第一区域表面形成第一P型金属层；在激光器芯片的第一P型金属层一侧表面通过电镀工艺形成第二P型金属层；第一区域的第一P型金属层用于连通多个激光器芯片表面；将激光器晶圆解理成多个边发射半导体激光器。与相关技术相比，本发明可以提高边发射大功率激光器的可靠性和良率，降低制备工艺的成本。