一种MOSFET共线封装控制方法及系统

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一种MOSFET共线封装控制方法及系统
申请号:CN202510258179
申请日期:2025-03-06
公开号:CN119786343B
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种MOSFET共线封装控制方法及系统,涉及半导体制造技术领域,该方法包括:获取待切割晶圆的芯片分布框线图,并根据该图进行切割最短路径寻优,生成晶圆切割推荐路径;获得切割速度和深度的时序信息。通过切割温度预测模型,结合切割路径、速度和深度信息,生成切割温度时序信息;根据温度时序信息优化冷却控制,获得推荐的冷却液流量和压力时序信息;基于切割和冷却参数进行晶圆切割,并获得多个分离芯片用于MOSFET共线集成封装。解决了现有技术中晶圆切割过程中的温度控制不精确、冷却效率低的技术问题,达到了提高晶圆切割过程中温度控制的精确性和冷却效率的技术效果。
技术关键词
切割道结构 温度预测模型 时序 冷却液 筋结构 封装控制方法 晶圆切割设备 槽结构 切割机 样本 参数 共线 封装控制系统 坐标系 芯片 精度 切割模块 标签 压力
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