抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质

为解决现有技术中抗辐照芯片设计面积消耗大、周期长、成本高以及抗辐照性能不高的问题，本发明提出抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：找到Tap Cell和标准单元之间最大距离；通过建立含有Tap Cell的器件级SEL仿真模型，找到抗SEL的Tap Cell插入距离；通过建立单元级SET仿真模型，找到同时抗SEL和抗SET的Tap Cell插入间距，作为依据在版图中进行Tap Cell和标准单元的重新布局，完成芯片版图设计。该设计方法利用Tap Cell插入间距对SEL和SET敏感性造成差异的性质，提升设计芯片抗辐照性能的同时，兼顾了设计的成本和周期。