制作背入射微透镜的刻蚀方法及探测器芯片的制作方法

本申请涉及一种制作背入射微透镜的刻蚀方法及探测器芯片的制作方法，制作背入射微透镜的刻蚀方法包括：在完成正面工艺的晶圆片的背面进行减薄和抛光处理；在减薄后的晶圆片的背面制作形貌达到目标需求的光刻胶透镜图形；在晶圆片的正面旋涂光刻胶并烘烤，使正面工艺的表面形成正面保护层；在正面保护层的表面涂敷真空硅脂；利用晶圆片背面的光刻胶透镜图形作为掩膜层，对掩膜层进行干法刻蚀。本申请通过对晶圆片的背面进行减薄和抛光处理，可有效避免因热量积聚导致的光刻胶烧糊、刻蚀不均匀等工艺问题；同时，真空硅脂能在后续干法刻蚀过程中，避免芯片因过热而出现性能劣化和光刻胶烧糊，且使芯片保持稳定的位置，防止晶圆片位移影响刻蚀精度。