一种半导体单管器件及斩波电路

本发明公开了一种半导体单管器件及斩波电路，该单管器件包括器件散热基板，器件散热基板上设置有第一覆铜陶瓷基板与第二覆铜陶瓷基板，及多个并联连接的IGBT芯片，一部分IGBT芯片设置在第一覆铜陶瓷基板上，另一部分IGBT芯片设置在第二覆铜陶瓷基板上；根据需要选择全部或部分IGBT芯片，为全部或部分IGBT芯片中的每个IGBT芯片配置二极管芯片，每个IGBT芯片与对应的二极管芯片反并联。本发明的功率密度能够继续增加，进一步提升斩波能力。