一种用于GaN基太赫兹量子级联激光器的双金属波导结构及其制备方法

本发明公开了一种用于GaN基太赫兹量子级联激光器的双金属波导结构，其结构包括：自接收衬底向上依次设置的金属In层、共熔合金AuIn层、下电极金属层，在下电极金属层上设置脊形波导结构，每个脊形波导结构依次包括下n型重掺杂接触层、GaN/AlGaN多量子阱层、上n型重掺杂接触层以及上电极金属层。还公开了其制备方法。本发明中的双金属波导结构具有低损耗和高光场限制因子，低功率损耗与更好的散热性能，有利于降低激光器的阈值增益，增加辐射效率。