一种集成横流控制的MicroLED芯片结构及制备方法

本发明公开了一种集成横流控制的MicroLED芯片结构及制备方法，涉及芯片制备技术领域，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的上表面固定连接有GaNBuffer，所述GaNBuffer的上表面固定连接有uGaN外延层，所述uGaN外延层的上表面固定连接有AlGaN外延层，所述AlGaN外延层的上表面固定连接有NGaN外延层，所述NGaN外延层的上表面固定连接有MQW多量子阱，所述MQW多量子阱的上表面固定连接有PGaN外延层，所述PGaN外延层的下方设置有S‑Metal金属层，所述S‑Metal金属层靠近NGaN外延层的一侧设置有D‑Metal金属层，本发明创新的将uGaN/AlGaN二维电子气结构与InGaN/GaN LED发光外延结构相结合，通过MOCVD设备即可一次性完成生长，通过AlGaN层Al组分、芯片结构设计、金属线宽控制等，即可实现不同恒定电流及饱和膝电压控制。