一种GaN基Micro-LED芯片阵列及其制备方法

本发明公开了一种GaN基Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，能有效提升Micro‑LED芯片的光提取效率，且工艺简单、成本低廉，适合规模化芯片生产。其中GaN基Micro‑LED芯片阵列包括：驱动基板，驱动基板内部的顶端设有电路金属阵列；键合金属阵列，设于电路金属阵列上；GaN基外延发光阵列，设于键合金属阵列上，键合金属阵列与GaN基外延发光阵列形成欧姆接触；GaN基外延发光阵列单元为上尖下宽的锥体结构。将芯片出光面由传统的平面变为锥面，减少平面出光面对出射光的全反射，增大光子出射概率。