半导体结构、存储芯片

一种半导体结构、存储芯片。该半导体结构包括：第一阱区；第一有源区，位于所述第一阱区中，沿着第一方向延伸；第二有源区，位于所述第一阱区中，沿着所述第一方向延伸，在第二方向上，所述第一有源区相对于所述第二有源区更靠近所述第一阱区的侧边缘；栅极，位于所述第一阱区上，与所述第一有源区和所述第二有源区接触；其中，在所述第一方向上，所述栅极在所述第一有源区上有第一长度，所述栅极在所述第二有源区上有第二长度，所述第一长度小于所述第二长度。该半导体结构性能良好。