一种利用模拟离子轰击实现GaN功率芯片典型异质界面强化导热的优化设计方法

本发明公开了一种基于离子轰击石墨烯提高氮化铝/石墨烯/碳化硅界面热导的模拟仿真优化设计方法。包括如下步骤：构建层状氮化铝/石墨烯/碳化硅界面模型；提取石墨烯模型；基于分子动力学模拟离子束轰击石墨烯；对轰击后的石墨烯进行模拟退火处理；采用多种轰击条件（如轰击剂量、能量、距离等）得到不同缺陷态石墨烯；重新构建氮化铝/缺陷态石墨烯/碳化硅结构模型；计算界面热导并分析界面声子态；建立离子轰击工艺、界面热导和界面声子态的相关关系；探索离子轰击工艺优化方向；迭代优化实现提升两倍及以上界面热导。