一种大腔占比硅基封装模块制作方法

本发明属于封装技术领域，公开了一种大腔占比硅基封装模块制作方法。本发明提供一种大腔占比硅基封装模块制作方法，通过采用倒装焊接和激光切割相结合的方式完成一种大腔占比硅基封装模块高密度集成；通过在硅基转接板板上制作通腔结构，通腔四周预留结构强度增强区，并在结构增强区制备结构增强微凸块，增加硅基转接板堆叠过程中的结构强度，克服了大腔占比硅基模块高可靠气密集成过程中基板易碎的难点；通过在硅腔四角设置圆倒角，降低多次倒装焊接中局部应力集中的风险；本发明可实现70%以上大硅腔占比的硅基模块集成，保证了大腔占比硅基封装模块的制作良率和系统集成度。