一种用于优化垂直超构光栅耦合器的方法、设备及介质

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一种用于优化垂直超构光栅耦合器的方法、设备及介质
申请号:CN202510282229
申请日期:2025-03-11
公开号:CN119987021B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种用于优化垂直超构光栅耦合器的方法、设备及介质,该方法包括:初始化二维设计区域内的介电常数分布,并将其拉伸为刻蚀层高度;基于初始化的介电常数分布,进行连续拓扑优化;在连续拓扑优化过程中,根据预设的过滤半径对介电常数分布进行平滑处理;当目标函数的变化处于预定义的阈值范围时,引入随机扰动;将连续拓扑优化后的介电常数转换为两个离散值;根据优化得到的离散介电常数分布,设计垂直超构光栅耦合器的几何结构;对所设计的垂直超构光栅耦合器进行性能模拟,评估其耦合效率和带宽参数。本发明为大规模超紧凑超构光子集成电路的实现提供了优秀的输入输出接口解决方案。
技术关键词
介电常数值 二值化算法 光栅耦合器 品质因数 二氧化硅 光子集成电路 输入输出接口 扰动方法 可读存储介质 处理器 空气 图案 存储器 计算机 噪声 电子设备 波导 参数
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