一种双面铟倒装互连用芯片承片台及倒装互连芯片方法

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一种双面铟倒装互连用芯片承片台及倒装互连芯片方法
申请号:CN202510285411
申请日期:2025-03-11
公开号:CN120300057A
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种双面铟倒装互连用芯片承片台及倒装互连芯片方法,涉及红外探测器芯片技术,包括:承片台本体(1),其正面设置有矩形槽(3),所述矩形槽的四边位置设置有支撑台阶(5),其中所述矩形槽(3)的规格是基于目标碲镉汞芯片的规格确定的,所述支撑台阶(5)到承片台上表面的距离是基于目标碲镉汞芯片的规格确定的;所述承片台本体(1),其背面设置有安装凹槽(7),所述安装凹槽(7)用于将承片台本体固定到倒装焊接机上。本申请实施例在承片台上正面设计矩形槽,矩形槽四角倒圆角,在矩形槽内的四边位置设计支撑台阶,解决了带有铟凸点的碲镉汞芯片与承片台的接触问题。
技术关键词
碲镉汞芯片 芯片承片台 双面 红外探测器芯片 台阶 焊接机 互连工艺 凹槽 正面 中心对称 矩形状
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