一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置

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一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置
申请号:CN202510298102
申请日期:2025-03-13
公开号:CN120102535B
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置,涉及非线性光学和光学成像半导体检测。短波红外光穿透待测半导体,表面或内部缺陷引发散射,改变透/反射率及功率,激发含高阶非线性荧光纳米颗粒薄膜,使发光亮度产生数量级变化,提升缺陷检测对比度与成像分辨率。通过FPGA和LabVIEW实现全自动控制,自动采集、拼接子图像,分析灰度异常区域以判断缺陷类型与分布。光学成像装置含激发光生成、样品扫描、非线性荧光薄膜成像及智能控制分析模块,实现短波红外光激发、可见光‑近红外探测,具备智能化、高分辨、低成本、大面积全自动探伤优势。适于大规模半导体高效探伤,摆脱对红外成像相机依赖,降低系统成本。
技术关键词
内部探伤装置 荧光材料 非线性 半导体 探伤方法 位移台 FPGA芯片 上转换荧光纳米颗粒 图像拼接算法 短波红外 薄膜 红外光 光束分束器 稀土掺杂上转换纳米颗粒 缺陷分析 滤光片 成像模块
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