一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质

本申请实施例提供了一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质，包括：根据目标晶圆的结构布局信息，构建出三维薄膜堆叠模型。基于光刻参数信息对三维薄膜堆叠模型进行光刻模拟，确定出模拟尺寸数据和模拟光刻胶三维数据。精确仿真出三维晶圆在光刻过程中的实际光强分布，模拟后结果为后续修正过程提供有力参考依据，从而提高修正过程的实用性。根据标准尺寸数据和标准光刻胶三维数据，进行光学临近修正。本申请实施例提供的技术方案可以在进行光学临近效应修正过程中，从三维层次充分考虑目标晶圆的多层次结构，有效提高后续光刻模拟过程的真实性和实用性，结合晶圆结构考虑真实光强分布，提升光学临近修正效果以及合规晶圆的生产效率。