构造微粗化结构的方法、微粗化结构及其应用于的微型发光二极管芯片

本发明涉及发光二极管技术领域,提出一种构造微粗化结构的方法及结构。该方法包括：提供待处理表面层；在所述待处理表面层上生长金属层；对所述金属层进行高温退火使金属团聚以形成金属颗粒；将所述金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述待处理表面层以生成微粗化结构。通过本方法生成微粗化结构的粗化颗粒度大小、深度、速率可控，粗化的颗粒度大小和深度可以达到几十到几十微米的大小。因此能够很好地适用于尺寸小、像素大小为微米级或者亚微米级别的微型发光二极管表面的粗化。