半导体装置的制造方法
申请号：CN202510325286
申请日期：2025-03-19
公开号：CN120690691A
公开日期：2025-09-23
类型：发明专利
摘要
本发明的半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备搭载有第1半导体芯片(3)的基板(2)和在第2半导体芯片(4)上层叠有黏合层(24)的带黏合层的半导体芯片(31)；及形成工序，以黏合层(24)朝向基板(2)的方式将带黏合层的半导体芯片(31)热压接于基板(2)，在基板(2)与第2半导体芯片(4)之间形成埋入第1半导体芯片(3)的埋入部(5)，在形成工序中，在压接前对黏合层(24)中将与第1半导体芯片(3)抵接的抵接区域R进行局部加热。
技术关键词
半导体芯片
半导体装置
基板
热压
加热
层叠
激光
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