芯片封装结构的制备方法

本申请公开了一种芯片封装结构的制备方法，适用于半导体技术领域，该制备方法包括在晶圆上依次形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层。形成导电过孔，导电过孔贯穿第二掩膜层和第一掩膜层，并延伸至晶圆内，导电过孔包括位于第二掩膜层内的第一子过孔，第一子过孔包括靠近晶圆的第一开口，以及远离晶圆的第二开口，第二开口的面积大于第一开口的面积。在导电过孔中形成导电结构，导电结构包括位于第一子过孔的第一部。去除第二掩膜层，暴露导电结构的第一部。去除导电结构的第一部。本申请的技术方案实现了芯片封装结构的电学性能的提升。