一种时域可调的半导体激光器

本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种时域可调的半导体激光器。该时域可调的半导体激光器在半导体激光芯片上设置互注入耦合区和增益区，所述互注入耦合区包括多段区间单元，通过调节所述区间单元的吸收/增益特性来控制谐振腔内可饱和吸收体区的长度和增益区的长度的比例，切换多种脉冲产生机制调节脉宽。可以在降低半导体激光器结构复杂度的前提下实现激光脉冲较大范围的调节。