基于传感器网络的磷化铟单晶生长温度控制方法

本发明涉及晶体生长控制技术领域，尤其涉及基于传感器网络的磷化铟单晶生长温度控制方法，本发明将温度控制数据和气氛控制数据导入温气交互作用状态分析模型中，分析磷化铟单晶生长过程中生长温度和生长气氛的交互作用状态；将衍射结构数据导入磷化铟单晶结构状态分析模型中，分析磷化铟单晶的结构状态；根据生长温度和生长气氛的交互作用状态分析结果和磷化铟单晶的结构状态分析结果，构建磷化铟单晶品质预测模型，对磷化铟单晶的品质进行预测；根据磷化铟单晶的品质预测结果，对磷化铟单晶的生长温度进行优化，能够有效减少生长过程中的偏差和波动，确保温度和气氛压力的均匀分布，进而提高磷化铟单晶的均匀性和完整性。