一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器

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一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器
申请号:CN202510345033
申请日期:2025-03-24
公开号:CN119890164B
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明提出了一种用于高功率密度芯片的两相射流冷却散热器,属于芯片冷却散热技术领域。所述冷却散热器包括冷却液腔体外壳、射流歧管层、射流流道板和多孔介质层;所述冷却液腔体外壳中形成液体分布空腔;所述射流歧管层中形成射流腔,射流腔上均匀分布射流孔;所述射流流道板均安装在射流腔内,其射流流道均竖直设置,每个射流流道一端连接对应的射流孔;射流腔下层空间内各射流流道板之间的间隙填充所述多孔介质层。本发明利用小孔径多孔介质层对气泡动力学的影响,提高了散热过程的临界热流密度,单位面积散热量有所提高,延长芯片的工作寿命,提高芯片工作稳定性,对保证芯片在高热流密度、高集成度的工作条件下稳定工作具有重要作用。
技术关键词
高功率密度芯片 射流 多孔介质层 冷却液 散热器 烧结粉末 歧管 流道板 芯片散热方法 腔体 冷却散热技术 外壳 液相 气相 气泡 空腔 液体
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