微型发光二极管芯片及其制备方法

本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该微型发光二极管芯片包括外延层、第一钝化层和平坦层；外延层的一面具有沟道凹槽；第一钝化层位于外延层的一面，且覆盖沟道凹槽；平坦层位于第一钝化层背向外延层的一面，平坦层包括依次叠设的第一平坦化胶层、第二平坦化胶层和第三平坦化胶层，第一平坦化胶层、第二平坦化胶层和第三平坦化胶层的厚度比为4.5:3.5:2。本公开可以提高微型发光二极管芯片的可靠性。