一种氮化镓基半导体蓝光激光芯片

本发明提出了一种氮化镓基半导体蓝光激光芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层。本发明将氮化镓基半导体蓝光激光芯片的下波导层中密度的分布特性进行特定设计，从而使下波导层形成抑制光学灾变下波导层，从而调控下波导层的密度分布，抑制有源层的热退化和热失配，降低非辐射复合，抑制光学灾变，同时，提升载流子在有源区纵向、横向和侧向漂移均匀性，提升激光器腔体的导热效率，降低激光器内部热积累，并提升泵浦光到激光上能级的耦合率，抑制废热量和激光增益饱和，降低热应力不均和折射率提高引起自聚焦和光束扭曲带来的空穴烧孔效应，从而抑制光学灾变。