一种高密度脑电电极阵列及其制备方法和应用

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一种高密度脑电电极阵列及其制备方法和应用
申请号:CN202510361267
申请日期:2025-03-25
公开号:CN120203592A
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种高密度脑电电极阵列及其制备方法和应用。高密度脑电电极阵列包括:介电柔性基底;柔性电极阵列,柔性电极阵列分布在介电基底层的一侧表面,且柔性电极阵列沿着远离介电基底层的方向包括层叠设置的垂直碳纳米管阵列和碳层,垂直碳纳米管阵列的阵列单元间隙中分布有金属纳米线;水凝胶层,水凝胶层位于柔性电极阵列的外表面。本发明提供的高密度脑电电极阵列通过多方面协同设计,在维持低界面阻抗与高信号保真度的前提下,不仅解决了传统脑电设备空间分辨率不足与穿戴舒适性差的问题,而且提升了电极密度和所采集高密度脑电信号的质量,这为神经活动解析提供了硬件基础,在高性能脑机接口领域具有颠覆性潜力。
技术关键词
垂直碳纳米管阵列 脑电电极 柔性电极阵列 金属纳米线 聚乙二醇二丙烯酸酯 高密度 水凝胶层 金属催化剂层 气相沉积法 氮化硼膜 纳米压印光刻法 基底层 无机膜 填充算法 聚合物
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