一种扇出型半导体封装构件及其形成方法

本发明涉及一种扇出型半导体封装构件及其形成方法，涉及半导体技术领域，在本发明的扇出型半导体封装构件的形成方法中，通过对封装层的两个侧面进行处理以形成两个倾斜的侧面，进而形成金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构，且通过对所述芯片封装体的四周边缘区域进行离子注入工艺，使得所述金属毛刺被氮化或氧化，通过控制离子注入的方向，可以有效使得金属毛刺被氮化或氧化，且不会损伤金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构，然后再通过激光烧蚀工艺去除金属氮化物毛刺或金属氧化物毛刺时，可以方便毛刺去除干净，进而可以有效避免后续安装过程损伤印刷电路板的电路，有效避免短路现象。