一种散热型封装构件及其形成方法

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一种散热型封装构件及其形成方法
申请号:CN202410978849
申请日期:2024-07-22
公开号:CN118507359B
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种散热型封装构件及其形成方法,涉及半导体技术领域。在本发明的散热型封装构件的形成方法中,通过在半导体芯片的背面形成第一凹槽和第二环形凹槽,所述第二环形凹槽包围所述第一凹槽,所述第一凹槽的深度大于所述第二环形凹槽的深度,且第一凹槽与半导体芯片的功能区相对应,并在第一凹槽中形成钝化绝缘介质层,并在钝化绝缘介质层形成金属离子注入区,进而热退火处理在钝化绝缘介质层形成金属纳米颗粒,进而可以将半导体芯片的功能区在工作时产生的热量快速导出。
技术关键词
散热型 半导体芯片 树脂封装层 绝缘 离子注入工艺 金属纳米颗粒 介质 凹槽 高浓度 散热块 环形 原子层沉积 氧化钽 氧化铪 载体 基板 光刻胶 氧化锆 氮化硅
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