一种MO-TFT陷阱态俘获参数提取方法及系统

本发明公开了一种MO‑TFT陷阱态俘获参数提取方法及系统，包括，施加激光激励信号入射至MO‑TFT的有源层区域，用于调控表面势并诱导不同的瞬态光电流响应；在MO‑TFT的源极和漏极之间施加偏压VDS，确保器件工作在深线性区；测量MO‑TFT的瞬态光电流响应，记录瞬态光电流变化曲线；计算并提取陷阱态俘获参数。本发明通过对瞬态电流变化的测量和拟合，提取弛豫时间及相应的陷阱态俘获参数，实现对MO‑TFT陷阱态特性的精确表征。本发明所提出的方法能够有效获取陷阱态俘获动力学参数，并具有较高的测试精度和模型适用性，可广泛用于MO‑TFT器件的可靠性评估与优化设计。