一种高响应度红外探测器芯片结构

本发明关于一种高响应度红外探测器芯片结构，涉及半导体红外探测器领域。包括窄带隙吸收层，用于通过光吸收生成光生载流子；中等带隙电荷控制层，位于窄带隙吸收层与宽带隙碰撞电离倍增层之间，用于限制内建电场仅在宽带隙碰撞电离倍增层内部，避免电场延伸到窄带隙吸收层；宽带隙碰撞电离倍增层，与窄带隙吸收层分离，用于在高电场下实现碰撞电离倍增，放大光电流。本发明通过分离窄带隙吸收层与宽带隙碰撞电离倍增层，并引入中等带隙电荷控制层，实现了高增益与低暗电流的平衡。