半导体装置及其制造方法
申请号：CN202411517941
申请日期：2024-10-29
公开号：CN120637330A
公开日期：2025-09-12
类型：发明专利
摘要
本公开获得能够降低芯片高度的半导体装置及其制造方法。在基板(1)之上形成有一次侧电极(3)。绝缘层(5)形成于基板(1)及一次侧电极(3)之上。绝缘层(5)具有开口部(6)。二次侧电极(7)形成于绝缘层(5)之上，并经由绝缘层(5)而与一次侧电极(3)对置并磁性或电容性耦合。布线(8)与在开口部(6)中从绝缘层(5)露出的一次侧电极(3)接合。在开口部(6)的侧壁形成有至少一阶的台阶(9)。
技术关键词
半导体装置
电极
圆弧状
基板
宽带隙半导体
表面保护层
蚀刻
布线
台阶
电容
汇流条
芯片
导线
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