一种DFB激光器芯片耦合因子的测量方法

本发明提出了一种DFB激光器芯片耦合因子的测量方法，属于半导体激光器芯片的技术领域，用以解决建模/仿真得到的耦合因子与真实的耦合因子存在很大的差异的技术问题。本发明包括以下步骤：测试同一批次芯片中若干个DFB激光器芯片的光谱，统计波长中值；根据波长中值计算DFB激光器芯片的有效折射率；根据有效折射率计算耦合因子，并利用传输矩阵法得到对应光栅情况下，耦合因子与双模芯片的波长差的对应关系；找到双模芯片，测试该双模芯片的波长差；将波长差带入对应关系中得到耦合因子。本发明通过实际测试数据结合传输矩阵法，可以准确的得到DFB激光器芯片的耦合因子；并且，测试数据不受电流、温度的影响，该方法具有非常好的普适性和稳定性。