车规级碳化硅器件功率循环测试方法

本发明涉及车规级碳化硅器件测试领域，公开了车规级碳化硅器件功率循环测试方法，包括以下步骤：对待测碳化硅器件进行初次功率循环，当结温升温至预设温度条件后，测量并记录其底板对应芯片中心位置与边缘位置的初始温度差值；然后进行多次功率循环测试，每次功率循环中当待测碳化硅器件升温至预设温度条件时，检测第i次功率循环温度差值；计算温度差值变化率，并判断待测碳化硅器件的老化情况和是否失效，当温度差值变化率超过20％‑40％时，判定器件失效。本发明能够同时对器件的芯片失效和封装失效进行实时监控，从而解决了传统功率循环测试评估方法无法精确反映功率器件封装退化情况、易导致误判的问题，显著提升测试效率和可靠性。