摘要
本发明涉及一种TOPCon电池的制备方法,属于太阳能电池制造技术领域。包括:双面碱制绒;制绒后硅片进行硼扩散工艺;硼扩散工艺中,通源后的反应温度为825‑845℃,推进的温度为860‑890℃,推进结束后补硼;进行SE制备;硅片进行高温氧化,去除富硼层,并生长BSG;氧化后硅片经过去BSG‑碱抛;进入PE‑poly工艺进行原位磷掺杂;硅片经过退火工艺晶化;去PSG‑RCA工艺。通过在硼扩散工艺中优化通源步、推进步的反应温度以及增加补硼操作,可以提高SE掺杂区域的浓度,并保证非SE区域的掺杂浓度整体变化不大,以此来提高电池的转换效率。
技术关键词
硅片
炉管
TOPCon电池
硼扩散工艺
射频电源
抽真空
分子筛层
隧穿氧化层
沉积掩膜
富硼层
氢氟酸
退火工艺
溶液
高温氧化
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磷掺杂
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