装置制备方法和半导体装置

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装置制备方法和半导体装置
申请号:CN202510387316
申请日期:2025-03-28
公开号:CN120184020B
公开日期:2025-12-30
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种装置制备方法和半导体装置。其中,所述装置制备方法包括:同步地形成第一芯片中的第一导电件和第一导热件,其中,所述第一导电件和所述第一导热件电隔离;同步地形成第二芯片中的第二导电件和第二导热件,其中,所述第二导电件和所述第二导热件电隔离;以及接合所述第一芯片和所述第二芯片,以使所述第一导热件与所述第二导热件热连通并形成导热通道。
技术关键词
导热件 芯片 半导体装置 布线 导电导热材料 衬底 导电件 通孔 热点 通道
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