半导体装置和装置制备方法

AITNT
正文
推荐专利
半导体装置和装置制备方法
申请号:CN202510387331
申请日期:2025-03-28
公开号:CN120237102B
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种半导体装置和装置制备方法。其中,所述半导体装置包括:第一芯片,所述第一芯片中形成有第一导热件;第二芯片,所述第二芯片中形成有与所述第一导热件热连通的第二导热件,其中,所述第一芯片接合在所述第二芯片的第一侧上,所述第二芯片的面积大于所述第一芯片的面积,以形成露出部,所述第二导热件部分地位于所述露出部,以部分地暴露于环境中。
技术关键词
半导体装置 芯片 导热件 布线 导热材料 散热装置 通孔 信号 数据
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种芯片上方spacer结构
芯片 基板 堆叠高度 功率模块技术 封装材料
2
一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件及其制造方法
氮化物半导体 功率器件结构 外延结构 多层复合材料 多层堆叠结构
3
一种游戏控制器动态配置系统
动态配置系统 游戏控制器 动态资源配置 动态优先级队列 游戏场景
4
一种电源监控电路
电源监控电路 电压基准源 精密可调 芯片 电阻
5
一种可采用单SCI MCU实现的低成本4线LIN节点自动寻址系统及实现方法
自动寻址系统 接地开关 主节点 控制芯片 低成本
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号