一种数据驱动的CVD-SiC沉积速率预测模型及方法

本发明公开了一种数据驱动的CVD‑SiC沉积速率预测模型及方法，属于陶瓷基复合材料和半导体材料技术领域，包括反应器、石墨片和沉积试样，反应器和沉积试样均设置在反应器内部，反应器紧贴反应器内壁，沉积试样通过碳纤维悬挂在反应器内部的中间位置，反应器的内部为反应腔，本发明采用上述结构的一种数据驱动的CVD‑SiC沉积速率预测模型并结合预测方法，通过建立更加简洁的化学反应模型和传热传质的多场耦合，可准确预测不同工艺条件下的沉积表面的沉积速率，同时利用机器学习方法建立工艺条件‑沉积速率的准确关联函数构建了高效且准确的实验参数和沉积速率之间的联系，实现了数值模拟与机器学习的结合。