专用于真空灭弧室的半导电釉参数确定方法、半导电釉和绝缘材料表面电位测试系统

本申请涉及一种专用于真空灭弧室的半导电釉参数确定方法、半导电釉和绝缘材料表面电位测试系统。所述方法包括：通过模型仿真、材料选型、釉层涂覆、釉料烧成、实验测试、优化改进多个方面，采用本方法能够有效抑制三交界处电荷，从而提高真空陶瓷沿面闪络电压。