固态存储设备高速写入方法及系统

本发明涉及数据处理技术领域，具体为一种固态存储设备高速写入方法及系统。写入方法包括以下步骤：在固态存储设备的存储单元两端施加特定脉冲电压，使得电子能够通过绝缘层进行量子隧穿，生成量子隧穿条件，用于低功耗写入数据；对存储单元进行预处理，预处理的步骤包括初始化、状态检测和绝缘层修复，确保每个存储单元均处于适合写入的状态。本发明的固态存储设备的高速写入方法及系统，解决了现有技术中固态存储设备在高速写入过程中低功耗和高稳定性难以兼顾的问题。