芯片及降低芯片负载效应的方法

本发明提供了一种芯片及降低芯片负载效应的方法，属于半导体领域。该降低芯片负载效应的方法包括S1：提供一芯片；S2：将其中一个区域的鳍结构暴露，将剩余区域覆盖；S3：在暴露区域中的鳍结构形成源极和漏极。S4：重复步骤S2和S3，在剩余区域的鳍结构形成源极和漏极。本发明通过将PMOS区域中的三个区域的其中一个区域暴露，将其他区域的鳍结构覆盖，从而能够在暴露区域的鳍结构通过外延生长硅锗的方式形成源极和漏极。然后，按照同样地方式，在其他区域，形成源极和漏极，从而能够使得PMOS不同区域的源极和漏极的生长速率一致，使得源极和漏极的形貌大致相同，从而能够降低芯片的负载效应，提高芯片制作的良率和芯片的电性的可靠性。