芯片堆叠结构及封装方法

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芯片堆叠结构及封装方法
申请号:CN202510406303
申请日期:2025-04-02
公开号:CN120280420B
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,具体公开了一种芯片堆叠结构及封装方法,包括:至少两层芯片主体,相邻的两个芯片主体之间通过焊接部电连接,相邻的两个芯片主体之间设有散热流道,任意两个相邻的芯片主体之间的散热流道连通设置。在每两个相邻的芯片主体之间均设置散热流道,并且使每一层的散热流道均连通,将散热流道与外部冷却设备连通,能够通过液冷的方式对每两个相邻的芯片主体进行有效散热,提升芯片堆叠结构的散热能力,支持更多层芯片主体的堆叠,使得集成度更高,并且为高功率芯片提供了可靠的散热,保证每个芯片主体的工作可靠性。
技术关键词
芯片堆叠结构 流道槽 封装方法 导电体 真空回流工艺 芯片封装技术 碳纳米管 通孔 喷涂工艺 电镀工艺 冷却设备 网格 石墨 高功率 曲线
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