Micro LED芯片及其像素级光学整形镀膜方法

本申请提供一种Micro LED芯片及其像素级光学整形镀膜方法，涉及镀膜技术领域。该镀膜方法包括以下步骤：形成镀膜基体，镀膜基体包括：发光台面阵列、位于发光台面周侧的侧壁介质层以及覆盖在侧壁介质层和发光台面的第一顶部导电层；采用电感耦合等离子体对镀膜基体镀设膜层，直到镀膜基体上形成目标膜层。本申请提供的像素级光学整形镀膜方法，能够减少甚至消除Micro LED芯片表面膜层的内部空洞，在后续工艺中对目标膜层加工出Micro LED芯片表面的微透镜后，能够提升微透镜的外观均匀性和亮度，降低色差异常现象，提升透镜效果和亮度。