硅基等离激元红外探测器件、探测芯片及其制备方法

本申请公开了硅基等离激元红外探测器件、探测芯片及其制备方法。该硅基等离激元红外探测器件包括：硅基底、位于所述硅基底表面的硅纳米线、位于所述硅纳米线表面的氧化物介质层、位于所述氧化物介质层表面的TiN等离激元层、沉积于所述TiN等离激元层表面的上电极；以及与所述硅基底形成欧姆接触的下电极。该硅基等离激元红外探测器件以TiN为等离激元材料进行制备，TiN具有化学稳定性、低成本和易于制造的特点，并且与CMOS工艺兼容，适合采用FAB工艺制备大面阵硅基红外探测器。