一种太赫兹焦平面阵列探测器芯片及其制备方法

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一种太赫兹焦平面阵列探测器芯片及其制备方法
申请号:CN202510416799
申请日期:2025-04-03
公开号:CN119947276A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种太赫兹焦平面阵列探测器芯片及其制备方法,芯片包括肖特基二极管像元和Crossbar多路读出结构两部分,其中肖特基二极管像元包括欧姆接触和肖特基接触两部分;Crossbar多路读出结构包括横电极、纵电极,以及横电极与纵电极间的隔离层三部分,横电极与纵电极成交叉排列,横电极与纵电极间的隔离层,处在横电极与纵电极之间;肖特基二极管像元与Crossbar多路读出结构通过金属导线相连接。本发明解决了太赫兹焦平面阵列探测器芯片多路读出的难题,同时避免了横纵电极之间交叉造成的短路、断路问题。
技术关键词
焦平面阵列探测器 读出结构 肖特基二极管 电极 紫外光刻机 光刻胶 基片 芯片 氮化硅 缓冲层 砷化镓 一氧化二氮 导线 外延 衬底 图案 磷化铟 二氧化硅
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