一种声学器件的MEMS芯片封装结构及其工艺

本发明公开了一种声学器件的MEMS芯片封装结构及其工艺，该工艺包括以下步骤：衬底蚀刻：衬底上方设有电极，电极上方设有振膜，从衬底远离电极的表面中部位置贯穿蚀刻形成背腔，以暴露出电极，背腔位于电极的正下方；并同时贯穿蚀刻衬底其他部分，形成电路孔暴露出电极；电路电镀：在电路孔内电镀金属填充，形成电路，电路一端与电极电性连接，电路的另一端与衬底表面齐平外露，所述衬底蚀刻步骤中，衬底的材料选自柔性材料、玻璃、半导体材料中的一种或多种，本发明将MEMS芯片电性从其正面的电极牵引至其背面的焊脚，MEMS芯片贴装灵活度更好，衬底内部电路代替打线工艺，芯片的整个结构更加紧凑，满足器件小型化的需求。