一种用于片上波束成形和波分复用系统的3μm SOI工艺集成方法

本发明涉及一种用于片上波束成形和波分复用系统的3μm SOI工艺集成方法，包括硅波导刻蚀、PN离子注入、锗硅外延、锗硅波导刻蚀、金属层生长等步骤。本发明针对硅PN掺杂退火温度高于锗硅PN掺杂退火温度的问题，开发了锗硅外延刻蚀后置的工艺流程，并使用非选择性外延和反向刻蚀的方式，解决了硅刻蚀掺杂后晶圆不平整的问题。本发明在面对大规模硅光子集成应用时，具有极高的应用价值，利用本发明可制作集成有调制器、探测器等的复杂有源光子芯片。