耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏

本发明公开了一种耐高温LED芯片及其制备方法、显示屏，涉及LED制造领域。制备方法包括：刻蚀外延片形成导电台阶；形成第一光刻胶层、第二光刻胶层；形成光刻胶开口；蒸镀反射层、焊线层；去除第一光刻胶层、第二光刻胶层；形成钝化层并开孔。光刻胶开口包括第一开口和第二开口，第一开口的横截面的侧壁包括第一直线段；第二开口的横截面的侧壁包括第二直线段；第一直线段、第二直线段与外延片的表面的夹角为α1、α2，α2‑α1≥65°；反射层的侧壁、焊线层的侧壁与外延片的表面的夹角为β1、β2；β2‑β1≥60°。焊线层的侧壁与反射层的侧壁之间的距离≥2μm；实施本发明，可提升LED芯片的耐高温性能，提升其可靠性。